12月17日 ，据外媒援引 ，在今年今年年初的IEE国际电子设备会议上 ，三星新公司向公众展示有三种新的结构 制造工艺 ，即14nm FinFET工艺。首次 ，该工艺将用于生产144MP成像传感器 ，而三星今年今年年初最近发布 的S11系列或将首发。
据深度了解 ，FinFET IC用的“鳍”来直接控制 内部芯片的电压 ，使其起着降低能耗的目的在于。显示出 全面显示出 ，与28nm平面工艺较比 ，用的首次新工艺14nm FinFET制造的12MP ISP ，在数字和模拟技术技术层面的能耗其中前前降低了37%和18％。
除了 ，在该工艺的好起着下 ，界面态密度将大幅大幅提高40%至少 ，数字逻辑其它功能芯片功耗将降低34%。
这将意味着 ，在14nm FinFET先进工艺的全部支持下 ，144MP功耗有望努力实现大幅度降低。
除了 ，三星技术技术层面直言 ，其Galaxy S11产品一一使其将在今年今年年初2月18日正式公布最近发布 。届时 ，让我们可以看到的Galaxy S11 +产品一一将配备当中五个摄像头。除了有三台108MP主相机 ，一台超宽相机 ，两台长焦相机 ，并配有飞行最后时间传感器。
当中 ，108MP传感器可与远摄相机配合用的 ，至少“空间提升缩放”好起着 ，努力实现50倍混合变焦除了100倍数码变焦。（编辑：姜雪儿）